在闪烁原理上的差异：LED是利用流经有源区的载流子自发辐射填充闪烁，而LD是受激电磁辐射填充闪烁。发光二极管收到的光子的方向，振幅是随机的，激光二极管收到的光子是同方向，同振幅。LED是LightEmittingDiode（发光二极管）的简写。

普遍载于日常生活中，如家用电器的指示灯，汽车后防雾灯等。LED的最显着特点是使用寿命宽，光电切换效能低。

其原下上在某些半导体材料的PN结中，流经的少数载流子与多数载流子填充时会把多余的能量以光的形式释放出，从而把电能必要切换为光能。PN结加偏移电压，少数载流子无法流经，故不闪烁。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，别称LED。

LD是激光二极管的英文简写，激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间移往一层具备光活性的半导体，其端面经过打磨后具备部分光线功能，因而构成一光谐振腔。在相反偏置的情况下，LED结升空出光来并与光谐振腔相互作用，从而更进一步鼓舞从结上升空出有单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。半导体雷射二极管的工作原理，理论上与气体雷射器完全相同。

激光二极管在电脑上的CD光驱，激光印表机中的打印头等小功率光电装置中获得了普遍的应用于。二者在原理、架构、效能上的差异。（1）在工作原理上的差异：LED是利用流经有源区的载流子自发辐射填充闪烁，而LD是受激电磁辐射填充闪烁。

（2）在架构上的差异：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内波动缩放，LED没谐振腔。（3）效能上的差异：LED没临界值兹徴，光谱密度比LD低几个数量级，LED存入光功率小，收敛角大。

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